Russian

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W DIODES INCORPORATED

Номер продукта: DMN3190LDW-7
no gallery

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W DIODES INCORPORATED

Номер продукта: DMN3190LDW-7
МаркаDIODES INCORPORATED
Больше похожих продуктовИщите "Transistor N MOSFET"

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-24
0.25
25-99
0.14
100-499
0.12
500-2999
0.11
3000+
0.10
B2B продажи

Мин. кол-во: 5

Кратность заказа: 5

Итого:

1.25
2024-04-26 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-04-26 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

Доступно2800 шт.

Склад поставщика

lemona shop

Забрать в офисе LEMONA electronics

Забрать в офисе LEMONA electronics Бесплатно

Заказы обрабатываются и исполняются в рабочие дни с 8.30 до 17.00. Когда ваш заказ будет готов к получению, мы уведомим вас по SMS и электронной почте.
home delivery

Доставка на дом (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)

Доставка на дом (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,50 €

Shipping parcel

Получение в почтомате (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)

Получение в почтомате (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

3,50 €

Описание товара

МаркаDIODES INCORPORATED
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W DIODES INCORPORATED

Полезная информация


Спецификации

АртикулU-166343
МаркаDIODES INCORPORATED
NomNrDMN3190LDW-7

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W

Полезная информация

Параметры товара поставщика

NomNrDMN3190LDW-7
BrandDIODES INCORPORATED
Supplier's product code DMN3190LDW-7
Product IDU-166343
CaseSOT363
Drain current0.9A
Drain-source voltage30V
Features of semiconductor devicesESD protected gate
Gate-source voltage±20V
Kind of channelenhanced
Kind of packagetape
ManufacturerDIODES INCORPORATED
MountingSMD
On-state resistance0.19Ω
Polarisationunipolar
Power dissipation0.32W
Pulsed drain current9.6A
Type of transistorN-MOSFET x2
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].