Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3 INFINEON TECHNOLOGIES
Toote kood: IPD60R600P7ATMA1
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3 INFINEON TECHNOLOGIES
Toote kood: IPD60R600P7ATMA1
Bränd | INFINEON |
Rohkem sarnaseid tooteid | Otsi "Transistor N MOSFET" |
Kättetoimetamise tähtajad
2024-04-05 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kontorist kättesaamine Tasuta
Tellimusi töödeldakse ja täidetakse tööpäevadel kell 8.30–17.00.
Kui teie tellimus on kogumiseks valmis, teavitame teid sellest SMS-i ja e-posti teel.
Kui teie tellimus on kogumiseks valmis, teavitame teid sellest SMS-i ja e-posti teel.
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Tarnija toote parameetrid
Brand | INFINEON |
NomNr | IPD60R600P7ATMA1 |
Supplier's product code | IPD60R600P7ATMA1 |
Product ID | U-2726621 |
Case | PG-TO252-3 |
Drain current | 4A |
Drain-source voltage | 600V |
Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
Gate charge | 9nC |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 0.6Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 30W |
Pulsed drain current | 16A |
Technology | CoolMOS™ P7 |
Type of transistor | N-MOSFET |
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].