LEMONA

Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 66A; SOT227B IXYS

Toote kood: IXYN82N120C3H1
no gallery
no gallery
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid

Vabandame, meil ei ole enam seda kaupa.

Soovitame valida:

Selle kategooria teised tooted

Kättetoimetamise tähtajad

Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.

Ei ole saadavalEi ole saadaval

Tarnija ladu

home delivery

Kulleriga koju

Kulleriga koju

Üle 25,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

25,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

4,50 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.

3,50 €

Kauba kirjeldus

Bränd
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 66A; SOT227B IXYS

Kasulik informatsioon


Tehnilised andmed

Laokood
U-221270
Bränd
NomNr
IXYN82N120C3H1

Tarnija toote kirjeldus

Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 66A; SOT227B

Kasulik informatsioon

Tarnija toote parameetrid

NomNr
IXYN82N120C3H1
Case
SOT227B
Collector current
66A
Electrical mounting
screw
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
IXYS
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Power dissipation
500W
Pulsed collector current
320A
Semiconductor structure
single transistor
Technology
GenX3™
Type of module
IGBT
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXYN82N120C3H1
Product ID
U-221270
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].