Diode: Schottky rectifying; Trench SBR®; SMD; 100V; 15A; PowerDI®5 DIODES INCORPORATED
Категория: Диоды шотки
Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A YANGJIE TECHNOLOGY
Категория: MOSFETS (Металлические, оксидные и полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы))
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A; 0.26W NEXPERIA
Категория: MOSFETS (Металлические, оксидные и полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы))
Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A YANGJIE TECHNOLOGY
Категория: MOSFETS (Металлические, оксидные и полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы))
Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W YANGJIE TECHNOLOGY
Категория: MOSFETS (Металлические, оксидные и полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы))
Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W YANGJIE TECHNOLOGY
Категория: MOSFETS (Металлические, оксидные и полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы))
Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W YANGJIE TECHNOLOGY
Категория: MOSFETS (Металлические, оксидные и полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы))
Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W YANGJIE TECHNOLOGY
Категория: MOSFETS (Металлические, оксидные и полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы))
Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W YANGJIE TECHNOLOGY
Категория: MOSFETS (Металлические, оксидные и полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы))
Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A YANGJIE TECHNOLOGY
Категория: MOSFETS (Металлические, оксидные и полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы))
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W YANGJIE TECHNOLOGY
Категория: MOSFETS (Металлические, оксидные и полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы))
Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 20V; -10.4A; 3W YANGJIE TECHNOLOGY
Категория: MOSFETS (Металлические, оксидные и полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы))
Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W YANGJIE TECHNOLOGY
Категория: MOSFETS (Металлические, оксидные и полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы))
Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W YANGJIE TECHNOLOGY
Категория: MOSFETS (Металлические, оксидные и полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы))