381 000 toodet, mida müüakse & ja eBay's. Uuri rohkem
Russian

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W WAYON

Номер продукта: WMJ80N65F2-CYG
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-2
18.70
3-9
15.00
10-29
11.25
30-119
10.11
120+
9.36
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

18.70
2024-05-23 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-05-23 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

Доступно149 шт.

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,50 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

3,50 €

Описание товара

Марка
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W WAYON

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-384147
Марка
NomNr
WMJ80N65F2-CYG

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W

Полезная информация

Параметры товара поставщика

NomNr
WMJ80N65F2-CYG
Brand
WAYON
Supplier's product code
WMJ80N65F2-CYG
Product ID
U-384147
Case
TO247-3
Drain current
45A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
26.2nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
WAYON
Mounting
THT
On-state resistance
37mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
410W
Pulsed drain current
245A
Reverse recovery time
190ns
Technology
WMOS™ F2
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].