Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 102A; Idm: 440A IXYS
Номер продукта: MMIX1F160N30T
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-05-15 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 20 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 102A; Idm: 440A
Полезная информация
Параметры товара поставщика
NomNr
MMIX1F160N30T
Case
SMPD
Drain current
102A
Drain-source voltage
300V
Gate charge
367nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
IXYS
Mounting
SMD
On-state resistance
20mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
570W
Pulsed drain current
440A
Reverse recovery time
200ns
Technology
HiPerFET™
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
IXYS
Supplier's product code
MMIX1F160N30T
Product ID
U-261730
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
