Сроки доставки
2024-05-23 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.8A; Idm: 10A
Параметры товара поставщика
NomNr
SIA112LDJ-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIA112LDJ-T1-GE3
Product ID
U-3116290
Drain current
8.8A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
11.8nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
135mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
15.6W
Pulsed drain current
10A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].