381 000 toodet, mida müüakse & ja eBay's. Uuri rohkem
Russian

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 112W WAYON

Номер продукта: WMK4N65D1B-CYG
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-9
0.37
10-49
0.28
50-249
0.25
250-499
0.22
500+
0.21
B2B продажи

Мин. кол-во: 3

Кратность заказа: 1

Итого:

1.11
2024-05-20 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-05-20 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,50 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

3,50 €

Описание товара

Марка
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 112W WAYON

Спецификации

Артикул
U-3097187
Марка
NomNr
WMK4N65D1B-CYG

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 112W

Параметры товара поставщика

NomNr
WMK4N65D1B-CYG
Brand
WAYON
Supplier's product code
WMK4N65D1B-CYG
Product ID
U-3097187
Case
TO220-3
Drain current
4A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
14.5nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
WAYON
Mounting
THT
On-state resistance
2.2Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
112W
Pulsed drain current
16A
Technology
WMOS™ D1
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].