Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -30V; 6.5W VISHAY
Номер продукта: SIA817EDJ-T1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-06-04 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -30V; 6.5W
Параметры товара поставщика
NomNr
SIA817EDJ-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIA817EDJ-T1-GE3
Product ID
U-3116323
Drain current
-4.5A
Drain-source voltage
-30V
Gate charge
23nC
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.125Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
6.5W
Pulsed drain current
-15A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET + Schottky
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
