Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 100A; 405W WeEn Semiconductors
Toote kood: WNSC2M40120R6Q
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-06-05 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 100A; 405W WeEn Semiconductors
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 100A; 405W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
NomNr
WNSC2M40120R6Q
Supplier's product code
WNSC2M40120R6Q
Product ID
U-3092771
Case
TO247-4
Drain current
52A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
19nC
Gate-source voltage
-12...22V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
WeEn Semiconductors
Mounting
THT
On-state resistance
55mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
405W
Pulsed drain current
100A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
WeEn Semiconductors
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
