Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW TOSHIBA

Номер продукта: 2SK3475
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-4
3.01
5-24
2.70
25-99
2.52
100+
2.43
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

3.01
2024-06-19 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-06-19 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

Доступно87 шт.

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,50 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

3,50 €

Описание товара

Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW TOSHIBA

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-80356
Марка
NomNr
2SK3475

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
2SK3475
Case
SOT89
Drain current
1A
Drain-source voltage
20V
Efficiency
45%
Electrical mounting
SMT
Frequency
520MHz
Gate-source voltage
±10V
Kind of channel
depleted
Kind of package
tape
Kind of transistor
RF
Manufacturer
TOSHIBA
Open-loop gain
14.9dB
Output power
630mW
Polarisation
unipolar
Power dissipation
3W
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
TOSHIBA
Supplier's product code
2SK3475
Product ID
U-80356
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].