381 000 products sold on & & eBay. Find out more
Estonians

Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW TOSHIBA

Toote kood: 2SK3475
no gallery
no gallery
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid

Hinnapiirid

KogusHind KM-ga (tk)
1-4
3.04
5-24
2.73
25-99
2.55
100+
2.45
B2B

Min. kogus: 1

Mitmekordsus: 1

Kokku:

3.04
2024-05-22 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kättetoimetamise tähtajad

2024-05-22 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.

Saadaval97 tk

Tarnija ladu

home delivery

Kulleriga koju

Kulleriga koju

Üle 25,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

25,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

4,50 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.

3,50 €

Kauba kirjeldus

Bränd
Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW TOSHIBA

Kasulik informatsioon


Tehnilised andmed

Laokood
U-80356
Bränd
NomNr
2SK3475

Tarnija toote kirjeldus

Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW

Kasulik informatsioon

Tarnija toote parameetrid

NomNr
2SK3475
Brand
TOSHIBA
Supplier's product code
2SK3475
Product ID
U-80356
Case
SOT89
Drain current
1A
Drain-source voltage
20V
Efficiency
45%
Electrical mounting
SMT
Frequency
520MHz
Gate-source voltage
±10V
Kind of channel
depleted
Kind of package
tape
Kind of transistor
RF
Manufacturer
TOSHIBA
Open-loop gain
14.9dB
Output power
630mW
Polarisation
unipolar
Power dissipation
3W
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].