Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.7A; Idm: 9.2A; 35W ROHM SEMICONDUCTOR
Номер продукта: SCT2H12NZGC11
Сроки доставки
2024-05-16 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.7A; Idm: 9.2A; 35W
Параметры товара поставщика
Product code
SCT2H12NZGC11
Product ID
U-2966375
Case
TO3PFM
Drain current
3.7A
Drain-source voltage
1.7kV
Gate charge
14nC
Gate-source voltage
-6...22V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
1.5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
35W
Pulsed drain current
9.2A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
ROYAL OHM
Supplier's product code
SCT2H12NZGC11
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
