Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.7A; Idm: 9.2A; 35W ROHM SEMICONDUCTOR
Toote kood: SCT2H12NZGC11
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-16 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.7A; Idm: 9.2A; 35W
Tarnija toote parameetrid
Product code
SCT2H12NZGC11
Product ID
U-2966375
Case
TO3PFM
Drain current
3.7A
Drain-source voltage
1.7kV
Gate charge
14nC
Gate-source voltage
-6...22V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
1.5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
35W
Pulsed drain current
9.2A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
ROYAL OHM
Supplier's product code
SCT2H12NZGC11
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
