Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A VISHAY
Toote kood: SI4401FDY-T1-GE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-06-17 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 3542 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
SI4401FDY-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI4401FDY-T1-GE3
Product ID
U-3104606
Case
SO8
Drain current
-11A
Drain-source voltage
-40V
Gate charge
31nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
18.3mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
3.2W
Pulsed drain current
-80A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
