LEMONA

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A VISHAY

Toote kood: SI2319DDS-T1-GE3
no gallery
no gallery
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid

Hinnapiirid

KogusHind KM-ga (tk)
1-49
0.70
50-99
0.50
100-249
0.44
250-499
0.35
500+
0.28
B2B

Min. kogus: 1

Mitmekordsus: 1

Kokku:

0.70
2024-06-06 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kättetoimetamise tähtajad

2024-06-06 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.

Saadaval2640 tk

Tarnija ladu

home delivery

Kulleriga koju

Kulleriga koju

Üle 25,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

25,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

4,50 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.

3,50 €

Kauba kirjeldus

Bränd
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A VISHAY

Tehnilised andmed

Laokood
U-3721316
Bränd
NomNr
SI2319DDS-T1-GE3

Tarnija toote kirjeldus

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A

Tarnija toote parameetrid

Product code
SI2319DDS-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI2319DDS-T1-GE3
Product ID
U-3721316
Case
SOT23
Drain current
-3.6A
Drain-source voltage
-40V
Gate charge
19nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.1Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.7W
Pulsed drain current
-15A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].