Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.7A; Idm: -32A; 65W; D2PAK ONSEMI
Toote kood: FQB8P10TM
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-23 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.7A; Idm: -32A; 65W; D2PAK ONSEMI
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.7A; Idm: -32A; 65W; D2PAK
Tarnija toote parameetrid
Product code
FQB8P10TM
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FQB8P10TM
Product ID
U-2349526
Case
D2PAK
Drain current
-5.7A
Drain-source voltage
-100V
Gate charge
15nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
530mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
65W
Pulsed drain current
-32A
Type of transistor
P-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
