Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 54A; 625W; T-Max MICROCHIP (MICROSEMI)
Toote kood: APT45GP120B2DQ2G
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-08 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 30 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kulleriga koju (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 54A; 625W; T-Max
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
APT45GP120B2DQ2G
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
APT45GP120B2DQ2G
Product ID
U-1869392
Case
T-Max
Collector current
54A
Collector-emitter voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Gate charge
185nC
Gate-emitter voltage
±30V
Kind of package
tube
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
Power dissipation
625W
Pulsed collector current
170A
Technology
POWER MOS 7®
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
230ns
Turn-on time
47ns
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
