Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 900mA; Idm: 3A; 540mW DIODES INCORPORATED
Toote kood: DMN2600UFB-7
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-09 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kulleriga koju (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 900mA; Idm: 3A; 540mW DIODES INCORPORATED
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 900mA; Idm: 3A; 540mW
Tarnija toote parameetrid
NomNr
DMN2600UFB-7
Product ID
U-2876123
Case
X1-DFN1006-3
Drain current
0.9A
Drain-source voltage
25V
Gate charge
0.85nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
0.6Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.54W
Pulsed drain current
3A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN2600UFB-7
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
