Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W IXYS
Toote kood: IXFY4N60P3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-29 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
NomNr
IXFY4N60P3
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXFY4N60P3
Product ID
U-220626
Case
TO252
Drain current
4A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
6.9nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
IXYS
Mounting
SMD
On-state resistance
2.4Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
114W
Pulsed drain current
8A
Reverse recovery time
250ns
Technology
HiPerFET™
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
