Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W GeneSiC SEMICONDUCTOR
Toote kood: G3R75MT12D
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-23 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 281 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W GeneSiC SEMICONDUCTOR
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Laokood
U-2246897
NomNr
G3R75MT12D
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
G3R75MT12D
Supplier's product code
G3R75MT12D
Product ID
U-2246897
Case
TO247-3
Drain current
29A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
54nC
Gate-source voltage
-5...15V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
75mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
207W
Pulsed drain current
80A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
