Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 39.6A; Idm: 80A VISHAY
Toote kood: SIDR610DP-T1-RE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-23 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 39.6A; Idm: 80A
Tarnija toote parameetrid
NomNr
SIDR610DP-T1-RE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIDR610DP-T1-RE3
Product ID
U-3116358
Drain current
39.6A
Drain-source voltage
200V
Gate charge
38nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
33.4mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
125W
Pulsed drain current
80A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
