Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 202A; 520W; TO247AC VISHAY
Toote kood: SIHG64N65E-GE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-16 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 202A; 520W; TO247AC
Tarnija toote parameetrid
NomNr
SIHG64N65E-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHG64N65E-GE3
Product ID
U-3045989
Case
TO247AC
Drain current
40A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
369nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
47mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
520W
Pulsed drain current
202A
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
