Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 66.6A; Idm: 150A VISHAY
Toote kood: SISS5808DN-T1-GE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-22 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 66.6A; Idm: 150A
Tarnija toote parameetrid
NomNr
SISS5808DN-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SISS5808DN-T1-GE3
Product ID
U-3116534
Drain current
66.6A
Drain-source voltage
80V
Gate charge
24nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
11mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
65.7W
Pulsed drain current
150A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
