Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16/35A; 27/48W VISHAY
Toote kood: SIZ710DT-T1-GE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-13 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16/35A; 27/48W
Tarnija toote parameetrid
NomNr
SIZ710DT-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIZ710DT-T1-GE3
Product ID
U-3116558
Drain current
16/35A
Drain-source voltage
20V
Gate charge
18/60nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
9/4.3mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
27/48W
Pulsed drain current
70...100A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET x2
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
