Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4.5A; Idm: 20A VISHAY
Toote kood: SIA910EDJ-T1-GE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-30 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4.5A; Idm: 20A
Tarnija toote parameetrid
NomNr
SIA910EDJ-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIA910EDJ-T1-GE3
Product ID
U-3116325
Drain current
4.5A
Drain-source voltage
12V
Gate charge
16nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
42mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
7.8W
Pulsed drain current
20A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET x2
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
