Russian

Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV IXYS

Номер продукта: IXA20PG1200DHGLB
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-2
17.32
3-9
15.98
10+
15.22
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

17.32
2024-05-23 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-05-23 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

Доступно34 шт.

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,50 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

3,50 €

Описание товара

Марка
Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV IXYS

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-220230
Марка
NomNr
IXA20PG1200DHGLB

Описание товара от поставщика

Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
IXA20PG1200DHGLB
Product ID
U-220230
Case
SMPD-B
Collector current
23A
Electrical mounting
SMT
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
IXYS
Max. off-state voltage
1.2kV
Power dissipation
130W
Pulsed collector current
45A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
ISOPLUS™
Type of module
IGBT
Topology
IGBT half-bridge
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXA20PG1200DHGLB
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].