Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Номер продукта: GD10PJY120F4S
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 5,00 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте. Заказы на сумму свыше 50,00 € доставляются бесплатно.
3,50 €
Описание товара
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Спецификации
Артикул
U-2964916
NomNr
GD10PJY120F4S
Описание товара от поставщика
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1
Параметры товара поставщика
Product code
GD10PJY120F4S
Supplier's product code
GD10PJY120F4S
Product ID
U-2964916
Case
F4.1
Collector current
10A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
20A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
Advanced Trench FS IGBT
Type of semiconductor module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].