💼 Хотите стать нашим B2B-клиентом? Пишите на [email protected]
💼 Хотите стать нашим B2B-клиентом? [email protected]
LEMONA

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1 STARPOWER SEMICONDUCTOR

Номер продукта: GD15PJY120F1S
Фотография носит иллюстративный характер. Точные технические характеристики товара смотрите в описании.
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

5,00 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте. Заказы на сумму свыше 50,00 € доставляются бесплатно.

3,50 €

Описание товара

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1 STARPOWER SEMICONDUCTOR

Спецификации

Артикул
U-2964920
NomNr
GD15PJY120F1S

Описание товара от поставщика

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1

Параметры товара поставщика

Product code
GD15PJY120F1S
Supplier's product code
GD15PJY120F1S
Product ID
U-2964920
Case
F1.1
Collector current
15A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
30A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
Advanced Trench FS IGBT
Type of semiconductor module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].