Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD INFINEON TECHNOLOGIES
Номер продукта: IPN80R4K5P7
Фотография носит иллюстративный характер. Точные технические характеристики товара смотрите в описании.
Сроки доставки
2025-08-14 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 2097 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 5,00 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте. Заказы на сумму свыше 50,00 € доставляются бесплатно.
3,50
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD INFINEON TECHNOLOGIES
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
IPN80R4K5P7
Case
PG-SOT223
Drain current
1A
Drain-source voltage
800V
Gate charge
4nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
reel
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
4.5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
6W
Technology
CoolMOS™ P7
Type of transistor
N-MOSFET
Version
ESD
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IPN80R4K5P7
Product ID
U-217027
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].