Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3 BASiC SEMICONDUCTOR
Номер продукта: BGH50N65HF1
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3 BASiC SEMICONDUCTOR
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
BGH50N65HF1
Brand
BASiC SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
BGH50N65HF1
Product ID
U-2710903
Case
TO247-3
Collector current
50A
Collector-emitter voltage
650V
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Gate charge
308nC
Gate-emitter voltage
±20V
Kind of package
tube
Manufacturer
BASiC SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
Power dissipation
357W
Pulsed collector current
200A
Technology
Trench
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
256ns
Turn-on time
54ns
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
