Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88 TAIWAN SEMICONDUCTOR
Номер продукта: TSG65N110CE-RVG
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 5,00 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте. Заказы на сумму свыше 50,00 € доставляются бесплатно.
3,50
Описание товара
Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88 TAIWAN SEMICONDUCTOR
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88
Параметры товара поставщика
Product code
TSG65N110CE-RVG
Brand
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
TSG65N110CE-RVG
Product ID
U-4157843
Case
PDFN88
Drain current
18A
Drain-source voltage
650V
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
4nC
Gate-source voltage
-10...7V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Kind of transistor
HEMT
Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
0.11Ω
Polarisation
unipolar
Pulsed drain current
35A
Technology
GaN
Type of transistor
N-JFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].