Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W STMicroelectronics
Номер продукта: SGT120R65AL
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 5,00 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте. Заказы на сумму свыше 50,00 € доставляются бесплатно.
3,50
Описание товара
Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W STMicroelectronics
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
SGT120R65AL
Supplier's product code
SGT120R65AL
Product ID
U-3885488
Case
PowerFLAT 5x6
Drain current
9A
Drain-source voltage
650V
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
3nC
Gate-source voltage
-10...7V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Kind of transistor
HEMT
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
SMD
On-state resistance
0.12Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
192W
Pulsed drain current
36A
Technology
GaN
Type of transistor
N-JFET
Brand
STMicroelectronics
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].