💼 Хотите стать нашим B2B-клиентом? Пишите на [email protected]
💼 Хотите стать нашим B2B-клиентом? [email protected]

Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V NEXPERIA

Номер продукта: GAN063-650WSAQ
Фотография носит иллюстративный характер. Точные технические характеристики товара смотрите в описании.
Марка
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

5,00 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте. Заказы на сумму свыше 50,00 € доставляются бесплатно.

3,50

Описание товара

Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V NEXPERIA

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-194577
Марка
NomNr
GAN063-650WSAQ

Описание товара от поставщика

Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
GAN063-650WSAQ
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
GAN063-650WSAQ
Product ID
U-194577
Case
TO247
Drain current
24.4A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
15nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of package
tube
Kind of transistor
cascode
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
THT
On-state resistance
50mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
143W
Pulsed drain current
150A
Technology
GaN
Type of transistor
N-JFET / N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].