Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB INFINEON TECHNOLOGIES
Номер продукта: IRLB8314PBF
Фотография носит иллюстративный характер. Точные технические характеристики товара смотрите в описании.
Сроки доставки
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 5,00 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте. Заказы на сумму свыше 50,00 € доставляются бесплатно.
3,50
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB INFINEON TECHNOLOGIES
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
IRLB8314PBF
Supplier's product code
IRLB8314PBF
Product ID
U-218793
Case
TO220AB
Drain current
120A
Drain-source voltage
30V
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
THT
On-state resistance
2.4mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
125W
Pulsed drain current
664A
Technology
HEXFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
INFINEON
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].