Сроки доставки
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 5,00 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте. Заказы на сумму свыше 50,00 € доставляются бесплатно.
3,50
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W STMicroelectronics
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Параметры товара поставщика
Product code
SCTW35N65G2V
Supplier's product code
SCTW35N65G2V
Product ID
U-2738363
Case
HIP247™
Drain current
45A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
73nC
Gate-source voltage
-10...22V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tube
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
THT
On-state resistance
68mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
240W
Pulsed drain current
90A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
STMicroelectronics
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].