Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 80.8A; Idm: 200A VISHAY
Номер продукта: SIR826BDP-T1-RE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 5,00 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте. Заказы на сумму свыше 50,00 € доставляются бесплатно.
3,50
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 80.8A; Idm: 200A VISHAY
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 80.8A; Idm: 200A
Параметры товара поставщика
Product code
SIR826BDP-T1-RE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIR826BDP-T1-RE3
Product ID
U-3116514
Case
PowerPAK® SO8
Drain current
80.8A
Drain-source voltage
80V
Gate charge
69nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
6.2mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
83W
Pulsed drain current
200A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].