💼 Хотите стать нашим B2B-клиентом? Пишите на [email protected]
💼 Хотите стать нашим B2B-клиентом? [email protected]

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89 ONSEMI

Номер продукта: NTE4151PT1G
Фотография носит иллюстративный характер. Точные технические характеристики товара смотрите в описании.
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

5,00 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте. Заказы на сумму свыше 50,00 € доставляются бесплатно.

3,50

Описание товара

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89 ONSEMI

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-275929
NomNr
NTE4151PT1G

Описание товара от поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
NTE4151PT1G
Supplier's product code
NTE4151PT1G
Product ID
U-275929
Case
SC89
Drain current
-0.76A
Drain-source voltage
-20V
Gate charge
2.1nC
Gate-source voltage
±6V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
Polarisation
unipolar
Power dissipation
313mW
Type of transistor
P-MOSFET
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].