Сроки доставки
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 5,00 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте. Заказы на сумму свыше 50,00 € доставляются бесплатно.
3,50
Описание товара
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A VISHAY
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A
Параметры товара поставщика
Product code
SISS23DN-T1-GE3
Supplier's product code
SISS23DN-T1-GE3
Product ID
U-3822851
Case
PowerPAK® 1212-8
Drain current
-50A
Drain-source voltage
-20V
Gate charge
300nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
4.5mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
36W
Pulsed drain current
-200A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Brand
VISHAY
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].