💼 Хотите стать нашим B2B-клиентом? Пишите на [email protected]
💼 Хотите стать нашим B2B-клиентом? [email protected]

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A VISHAY

Номер продукта: SI9407BDY-T1-E3
Фотография носит иллюстративный характер. Точные технические характеристики товара смотрите в описании.
Марка
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

5,00 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте. Заказы на сумму свыше 50,00 € доставляются бесплатно.

3,50

Описание товара

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A VISHAY

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-3807690
Марка
NomNr
SI9407BDY-T1-E3

Описание товара от поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
SI9407BDY-T1-E3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI9407BDY-T1-E3
Product ID
U-3807690
Case
SO8
Drain current
-2.6A
Drain-source voltage
-60V
Gate charge
22nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.12Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
3.2W
Pulsed drain current
-20A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].