381 000 products sold on & & eBay. Find out more
Russian

Транзистор МОП-Н-Ч 55В 169А 330Вт 5.3мОм ТО220

Номер продукта: IRF1405PBF
no gallery
no gallery
INFINEON
Марка
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1+
3.76
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Единица измерения: шт.

Итого:

3.76

Цена при покупке онлайн

lemona shopДоставка в офис LEMONA electronics в течение 1-5 р. д.

Доступно>10 шт.
Центральный склад
НедоступноНедоступно
Таллиннский филиал

home deliveryДоставка на дом 1-5 р. д.

Shipping parcelПолучение в почтомате 1-4 р. д.


Сроки доставки

lemona shop

Забрать в офисе LEMONA electronics

Забрать в офисе LEMONA electronics Бесплатно

Заказы обрабатываются и исполняются в рабочие дни с 8.30 до 17.00. Когда ваш заказ будет готов к получению, мы уведомим вас по SMS и электронной почте.

Количество в магазине

Доступно>10 шт.
Центральный склад
НедоступноНедоступно
Таллиннский филиал
home delivery

Доставка на дом (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)

Доставка на дом (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,50 €

Shipping parcel

Получение в почтомате (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)

Получение в почтомате (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

3,50 €

Описание товара

INFINEON
Вес
0.00016 kg.
Марка
MOS-N-Ch 55V 169A TO220

Полезная информация


Спецификации

Артикул
127970
Вес
0.00016 kg.
Мощность, W
330
Марка
Корпус
TO220
Tок , A
169
Структура
MOS-N-Ch
NomNr
IRF1405PBF
Мощность, W
330

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Case
TO220AB
Drain current
133A
Drain-source voltage
55V
Gate charge
170nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
THT
On-state resistance
5.3mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
200W
Technology
HEXFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].