Транзистор MOS-P-Ch 100В 35А 150Вт <60мОм (21А)
Номер продукта: IRF5210
Доставка в офис LEMONA electronics в течение 1-5 р. д.
 >10 шт. | Центральный склад |
 Недоступно | Таллиннский филиал |
Доставка на дом 1-5 р. д.
Получение в почтомате 1-4 р. д.
Сроки доставки
Забрать в офисе LEMONA electronics
Забрать в офисе LEMONA electronics Бесплатно
Заказы обрабатываются и исполняются в рабочие дни с 8.30 до 17.00.
Когда ваш заказ будет готов к получению, мы уведомим вас по SMS и электронной почте.
Количество в магазине
| >10 шт. | Центральный склад |
| Недоступно | Таллиннский филиал |
Доставка на дом (1-5 рабочих дня, если товар есть на складе)
Доставка на дом (1-5 рабочих дня, если товар есть на складе)
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате (1-5 рабочих дня, если товар есть на складе)
Получение в почтомате (1-5 рабочих дня, если товар есть на складе)
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Case
TO220AB
Drain current
-40A
Drain-source voltage
-100V
Gate charge
0.12µC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
THT
On-state resistance
60mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
200W
Technology
HEXFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
