Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO268 IXYS
Toote kood: IXBT42N170A
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-16 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO268
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
NomNr
IXBT42N170A
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXBT42N170A
Product ID
U-220347
Case
TO268
Collector current
21A
Collector-emitter voltage
1.7kV
Features of semiconductor devices
high voltage
Gate charge
188nC
Gate-emitter voltage
±20V
Kind of package
tube
Manufacturer
IXYS
Mounting
SMD
Power dissipation
357W
Pulsed collector current
265A
Technology
BiMOSFET™
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
308ns
Turn-on time
33ns
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
