Estonians

Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A MICROCHIP (MICROSEMI)

Toote kood: APT1201R6BVFRG
no gallery
no gallery
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid

Hinnapiirid

KogusHind KM-ga (tk)
1-2
41.83
3-9
37.65
10+
33.27
B2B

Min. kogus: 1

Mitmekordsus: 1

Kokku:

41.83
2024-05-13 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kättetoimetamise tähtajad

2024-05-13 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.

Ei ole saadavalEi ole saadaval

Tarnija ladu

home delivery

Kulleriga koju

Kulleriga koju

Üle 25,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

25,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

4,50 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.

3,50 €

Kauba kirjeldus

Bränd
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A MICROCHIP (MICROSEMI)

Kasulik informatsioon


Tehnilised andmed

Laokood
U-1905739
Bränd
NomNr
APT1201R6BVFRG

Tarnija toote kirjeldus

Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A

Kasulik informatsioon

Tarnija toote parameetrid

Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
APT1201R6BVFRG
Product ID
U-1905739
Case
TO247-3
Drain current
8A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
230nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
On-state resistance
1.6Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
280W
Pulsed drain current
32A
Technology
POWER MOS 5®
Type of transistor
N-MOSFET
Product code
APT1201R6BVFRG
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].