381 000 products sold on & & eBay. Find out more
Estonians

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.14A; Idm: -0.5A; 0.13W; SC75A VISHAY

Toote kood: SI1032R-T1-GE3
no gallery
no gallery
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid

Hinnapiirid

KogusHind KM-ga (tk)
1-24
0.41
25-99
0.36
100-499
0.32
500-2999
0.29
3000+
0.27
B2B

Min. kogus: 3

Mitmekordsus: 1

Kokku:

1.23
2024-05-03 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kättetoimetamise tähtajad

2024-05-03 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.

Saadaval2969 tk

Tarnija ladu

home delivery

Kulleriga koju (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)

Kulleriga koju (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)

Üle 25,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

25,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

4,50 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.

3,50 €

Kauba kirjeldus

Bränd
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.14A; Idm: -0.5A; 0.13W; SC75A VISHAY

Tehnilised andmed

Laokood
U-2960830
Bränd
NomNr
SI1032R-T1-GE3

Tarnija toote kirjeldus

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.14A; Idm: -0.5A; 0.13W; SC75A

Tarnija toote parameetrid

NomNr
SI1032R-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI1032R-T1-GE3
Product ID
U-2960830
Case
SC75A
Drain current
0.14A
Drain-source voltage
20V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
0.75nC
Gate-source voltage
±6V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.13W
Pulsed drain current
-0.5A
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].