Estonians

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 421A; Idm: 500A VISHAY

Toote kood: SIDR500EP-T1-RE3
no gallery
no gallery
Bränd

Hinnapiirid

KogusHind KM-ga (tk)
1+
3.74
B2B

Min. kogus: 3000

Mitmekordsus: 3000

Kokku:

11,220.00
2024-05-09 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kättetoimetamise tähtajad

2024-05-09 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.

Ei ole saadavalEi ole saadaval

Tarnija ladu

home delivery

Kulleriga koju (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)

Kulleriga koju (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)

Üle 25,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

25,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

4,50 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.

3,50 €

Kauba kirjeldus

Bränd
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 421A; Idm: 500A VISHAY

Tehnilised andmed

Laokood
U-3116351
Bränd
NomNr
SIDR500EP-T1-RE3

Tarnija toote kirjeldus

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 421A; Idm: 500A

Tarnija toote parameetrid

NomNr
SIDR500EP-T1-RE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIDR500EP-T1-RE3
Product ID
U-3116351
Drain current
421A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
180nC
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.68mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
150W
Pulsed drain current
500A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].