Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 65.8A; Idm: 150A VISHAY
Toote kood: SIR106DP-T1-RE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-06-04 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 65.8A; Idm: 150A
Tarnija toote parameetrid
NomNr
SIR106DP-T1-RE3
Case
PowerPAK® SO8
Drain current
65.8A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
64nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
9mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
83.3W
Pulsed drain current
150A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIR106DP-T1-RE3
Product ID
U-3116415
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
