Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A WAYON
Toote kood: WMJ3N120D1-CYG
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-09 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 284 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kulleriga koju (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A
Tarnija toote parameetrid
NomNr
WMJ3N120D1-CYG
Brand
WAYON
Supplier's product code
WMJ3N120D1-CYG
Product ID
U-3097177
Case
TO247-3
Drain current
3A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
22.2nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
WAYON
Mounting
THT
On-state resistance
6.3Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
156.2W
Pulsed drain current
12A
Technology
WMOS™ D1
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
