381 000 products sold on & & eBay. Find out more
Estonians

Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 30/-30V; 3.98/-3.36A; 0.87W DIODES INCORPORATED

Toote kood: ZXMHC3F381N8TC
no gallery
no gallery

Hinnapiirid

KogusHind KM-ga (tk)
1-2
1.10
3-9
0.88
10-24
0.78
25+
0.70
B2B

Min. kogus: 1

Mitmekordsus: 1

Kokku:

1.10
2024-05-23 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kättetoimetamise tähtajad

2024-05-23 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.

Ei ole saadavalEi ole saadaval

Tarnija ladu

home delivery

Kulleriga koju

Kulleriga koju

Üle 25,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

25,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

4,50 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.

3,50 €

Kauba kirjeldus

Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 30/-30V; 3.98/-3.36A; 0.87W DIODES INCORPORATED

Kasulik informatsioon


Tehnilised andmed

Laokood
U-392221
NomNr
ZXMHC3F381N8TC

Tarnija toote kirjeldus

Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 30/-30V; 3.98/-3.36A; 0.87W

Kasulik informatsioon

Tarnija toote parameetrid

NomNr
ZXMHC3F381N8TC
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
ZXMHC3F381N8TC
Product ID
U-392221
Case
SO8
Drain current
3.98/-3.36A
Drain-source voltage
30/-30V
Features of semiconductor devices
MOSFET H-Bridge
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
33mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.87W
Pulsed drain current
22.9...-19.6A
Type of transistor
N/P-MOSFET x2
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].