Estonians

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23 VISHAY

Toote kood: SQ2325ES-T1-GE3
no gallery
no gallery
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid

Hinnapiirid

KogusHind KM-ga (tk)
1-9
1.39
10-24
1.18
25-99
1.05
100-249
0.93
250+
0.83
B2B

Min. kogus: 1

Mitmekordsus: 1

Kokku:

1.39
2024-05-09 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kättetoimetamise tähtajad

2024-05-09 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.

Saadaval2984 tk

Tarnija ladu

home delivery

Kulleriga koju (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)

Kulleriga koju (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)

Üle 25,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

25,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

4,50 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.

3,50 €

Kauba kirjeldus

Bränd
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23 VISHAY

Tehnilised andmed

Laokood
U-3807137
Bränd
NomNr
SQ2325ES-T1-GE3

Tarnija toote kirjeldus

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23

Tarnija toote parameetrid

NomNr
SQ2325ES-T1-GE3
Brand
VISHAY
Application
automotive industry
Case
SOT23
Drain current
-1A
Drain-source voltage
-150V
Gate charge
10nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
4.4Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1W
Pulsed drain current
-2A
Type of transistor
P-MOSFET
Supplier's product code
SQ2325ES-T1-GE3
Product ID
U-3807137
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].